從生長過程看，MBE有三個基本區域：分子束產生區、各分子束交叉混合區、反應和晶化過程區。從源射出的分子束撞擊襯底表面被吸附RHEED是重要的設備。高能電子槍發射電子束以1-3度掠射到基片表面。被吸附的分子（原子）在表面遷移、分解這時候我們可以經過表面晶格衍射在熒光屏上產生的衍射條紋直接反映薄膜的結晶性和表面形貌，衍射強度隨表面的粗糙度發生變化。振蕩反映了薄膜的層狀外延生長和外延生長的單胞層數。原子進入晶格位置發生外延生長可在原子尺度范圍內地控制外延層的厚度、界面平整度和摻雜分布，結合掩膜技術，可以制備具有二維和三維結構的薄膜。可隨意改變外延層的組分和摻雜。未進入晶格的分子因熱脫附而離開表面?在蒸鍍的過程中CHAMBER的真空度維持在10-6torr，稍後由於CHAMBER內各種材料的釋氣，真空度會被降低，所以必須不斷地抽氣，以維持想要的真空度，如此鍍出來的膜才會純。產品規格：真空抽氣經烘烤后可達到優于1E-10Torr。多材料共蒸鍍的腔體設計。樣品可升溫至800°C，具旋轉功能。多種外延用蒸發源可供選擇。可配備進樣室，減少污染，樣品座可容納至少2個樣品，減少真空腔體開關次數。配備符合超高真空需求的磁性樣品傳送桿。

多種蒸鍍材料或反應性鍍膜技術：各種容量的蒸發源系統配備石英膜厚計,協助鍍膜監控，為什么要超高真空

1、避免源爐噴射出的原子在到達襯底之前與環境中的殘余氣體碰撞而受到污染?氣體分子密度n(cm-3)與真空度p(torr)的關系：

分子的平均自由程：

2、避免環境中的殘余氣體分子與外延表面碰撞而使外延面受到污染?單位時間、單位面積表面被氣體分子碰撞次數：

分子熱運動平均速度：真空技術主要包括：真空的獲得、真空的測量、真空檢漏